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英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性
【2026 年 6 月 16 日，德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥(HB)器件。750V CoolSiC™ G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单一封装内，采用优化漏极焊盘的分列式引线框架设计既增强了热扩散能力，又能确保在高密度大功率电路板布局中满足电气间隙要求;同时其高度沿用英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT产品使用的行业标准2.3mm，可实现电路板级的无缝集成
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英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅
【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
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意法半导体车载惯性测量模块提升定位运动检测准确度
集成低噪 MEMS 加速度计和陀螺仪与同步输出，适合惯导计算、数据关联及传感器融合
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派克汉尼汾扩展SensoControl 控制器系列产品，满足现代连接与标准化需求
近期，运动与控制技术领域的先行者——派克汉尼汾公司宣布扩展旗下SensoControl产品组合，此次推出的新一代控制器和开关产品将进一步巩固公司在流体动力、工业应用智能监测与控制领域的领先优势，产品广泛适用于汽车制造、农业非道路机械及发电行业。新一代控制器系列依托SensoControl 20多年的产品设计技术和经验沉淀，响应速度更快、测量精度更高，并采用坚固耐用的IP67/工业级设计，可在严苛工况下帮助用户打造更稳定、更高效、更可靠的系统。
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Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流，铁芯损耗降低20%
这些器件采用宽体SMD-8封装，CTI值为600，爬电距离和电气间隙≥ 11 mm，VIORM为1500 Vpeak，VIOWM为1060 VRMS
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泰克高压差分探头家族迎来新成员：THDP0400助力高压高速功率测试
近期，泰克正式推出THDP系列全新成员——THDP0400高压差分探头。该产品适用于IGBT、SiC（碳化硅）以及 GaN（氮化镓）功率器件测试，同时也适用于电机驱动与电源变换器等应用场景。
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英飞凌推出高性能TMR技术，扩展XENSIV™磁传感器产品组合
【2026年6月12日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上，推出了隧道磁阻(TMR)传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔(Hall)、巨磁阻(GMR)和各向异性磁阻(AMR)传感方案的补充，进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比(SNR)，搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现可靠传感，且不受带宽限制;即使在更大气隙、更高机械公差的条件下，依然能保持稳定性能。因此TMR传感器非常适合游戏、人机交互(HMI)、健康及生活方式类可穿戴设备的低功耗位置传感，同时也适用于汽车及工业应用的位置与电流传感。
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英飞凌推出CoolSET™ SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规
【2026 年 6 月 11 日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出三款CoolSET™ 系统级封装(SiP)新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流(SR)控制器、增强型电气隔离以及全面保护功能集成在单一封装中。这种高度集成化设计可减少系统损耗、降低元器件用量，并简化家电(功率最高150W)节能辅助电源的设计。
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英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
【2026年6月11日, 德国慕尼黑讯】绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
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意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，为高速增长的工业状态监测市场带来极具竞争力的压电传感器替代方案
2026年6月11日，中国——服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) (纽约证券交易所代码:STM) 推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。
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安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合
现已提供样品，为AI数据中心、机器人及能源基础设施应用带来更高功率密度与能效
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达尼森推出紧凑型高精度MBC4000I磁通门交流/直流电流传感器
提供比传统霍尔效应传感器解决方案高10倍的电流测量性能水平
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MIKROE推出适配苹果Vision Pro 的 Spatial Anchor S1和R1 空间追踪模块
紧凑型追踪设备，可搭配苹果Vision Pro 实现高精度、实时物体追踪
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Vox Power Ltd. – 全新发布支持数字控制的输出模块，适用于NEVO+可配置AC-DC电源系列。
爱尔兰，都柏林 — 2026年5月21日 — Vox Power正在扩展其NEVO+系列输出模块家族，新增兼容PMBus™ 1.2接口的数字控制功能，并支持通过I²C无缝集成到嵌入式系统中。
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英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。
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