В конце мая Samsung Electronics объявила о начале поставок образцов памяти типа HBM4E, опередив тем самым основного конкурента в лице SK hynix, с которым была не в силах справиться в рамках жизненного цикла HBM3E. Вторую из компаний это явно не устраивает, поэтому свои образцы HBM4E она намеревается начать поставлять с опережением графика.
Источник изображения: SK hynix
По информации южнокорейских СМИ, первоначально SK hynix рассчитывала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, но теперь она прилагает усилия к началу поставок либо в текущем месяце, либо в июле самое позднее. Формально, это подразумевает некоторое ускорение поставок относительно изначального графика. Если учесть, что HBM4E сама по себе подразумевает глубокую адаптацию памяти под нужды конкретных заказчиков, снабжать их образцами памяти нужно начинать заранее, чтобы быстрее выйти на серийные поставки в будущем.
Скорее всего, HBM4E будет использоваться в ускорителях Nvidia семейства Rubin Ultra, которые выйдут на рынок в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, поэтому общая потребность в таких чипах увеличится. При производстве своей HBM4E компания SK hynix собирается применять техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы собирается выпускать по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусном исполнении со скоростями передачи данных от 14 до 16 Гбит/с в пересчёте на один контакт. В одном стеке HBM4E может содержаться до 48 Гбайт памяти.
Источник: